SK 海力士導入記憶體產業首套 High NA EUV 曝光機

发布时间：2025-09-14 08:04:05 来源：赤子之心网 作者：林子娟

韓國記憶體大廠 SK 海力士 3 日宣布，已將記憶體業界首套量產型高數值孔徑極紫外曝光機（High NA EUV）引進韓國利川 M16 工廠，並舉行設備入廠慶祝儀式。

SK 海力士表示，高數值孔徑極紫外曝光機擁有比當前標準 EUV 更高數值孔徑，由於數值孔徑是來衡量透鏡彙聚光線能力的數值。因此，數值孔徑越大，電路圖案繪製的精密度越高。可進一步大幅提升解析度，優化繪製當前最微細的電路圖案的過程，預計將在縮小線寬和提升整合度方面發揮關鍵作用。

設備入廠慶祝儀式，ASML 韓國公司總經理金丙燦、SK 海力士未來技術研究院長兼技術總管（Chief Technology Officer，CTO） 車宣龍、SK 海力士製造技術擔當李秉起等領導共同出席，慶祝下一代 DRAM 生產設備的引進。

SK 海力士指出，全球半導體市場競爭愈發激烈，成功構建快速研發並供應高端產品以滿足客戶需求的堅實基礎。與合作夥伴的密切協作，提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩定性。目前半導體製造公司為了提升產品性能和生產效率，微細製程最佳化尤其重要。電路圖案製作越精密，每塊晶圓可生產的晶片數量就越多，也有效提高能效與性能。

SK 海力士自 2021 年首次在第四代 10 奈米級（1a）DRAM 導入 EUV 技術以來，持續將 EUV 應用擴展至先進 DRAM 製造領域。然而，為了滿足未來半導體市場對超微細化和高整合度的需求，引進超越現有 EUV 的下一代技術設備必不可少。所以，此次引進的設備為荷蘭 ASML 公司推出的 TWINSCAN EXE:5200B，是首款量產型 High-NA EUV 設備，與現有的 EUV 設備（NA 0.33）相比，光學性能（NA 0.55）提升 40%，能製作精密度高達 1.7 倍的電路圖案，整合度提升 2.9 倍。

SK 海力士強調，引進新設備簡化 EUV 技術，加速下代記憶體研發，確保產品性能和成本具競爭力，有望鞏固高附加值記憶體市場的地位，並夯實技術領導力。

(首圖來源：SK 海力士)

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